开关电源一直是电子职业里十分抢手的技能，而它的开展趋势又是我们有必要时间关注的问题，否则一不留神就会跟不上技能开展的脚步。电子元件技能做了项开关电源技能开展关注焦点查询，得出来以下十个抢手关注点。

　　关注点一：功率半导体器材功能

　　1998年，Infineon公司推出冷mos管，它选用"超级结"(Super-Junction)构造，故又称超结功率 MOSFET。作业电压600V～800V，通态电阻几乎降低了一个数量级，仍坚持开关速度快的特色，是一种有开展前途的高频功率半导体电子器材。

　　IGBT刚出现时，电压、电流额定值只要600V、25A。很长一段时间内，耐压水平限于1200V～1700V，通过长期的探索研讨和改善，如今 IGBT的电压、电流额定值已分别到达3300V/1200A和4500V/1800A，高压IGBT单片耐压已到达6500V，通常IGBT的作业频率上限为20kHz～40kHz，根据穿通(PT)型构造使用新技能制作的IGBT，可作业于150kHz(硬开关)和300kHz(软开关)。

　　IGBT的技能开展实际上是通态压降，疾速开关和高耐压能力三者的折中。跟着工艺和构造方式的不一样，IGBT在20年前史开展进程中，有以下几种类型：穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型和电场截止(FS)型。

　　碳化硅SiC是功率半导体器材晶片的抱负资料，其长处是：禁带宽、作业温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热功能好、漏电流极小、 PN结耐压高等，有利于制作出耐高温的高频大功率半导体电子元器材。

　　能够预见，碳化硅将是21世纪最可能成功使用的新式功率半导体器材资料。

　　关注点二：开关 电源功率密度

　　进步开关电源的功率密度，使之小型化、轻量化，是大家不断尽力追求的方针。电源的高频化是世界电力电子界研讨的热门之一。电源的小型化、减轻分量对便携式电子设备(如移动电话，数字相机等)尤为重要。使开关电源小型化的具体办法有：

　　一是高频化。为了完成电源高功率密度，有必要进步PWM改换器的作业频率、然后减小电路中储能元件的体积分量。

　　二是使用压电变压器。使用压电变压器可使高频功率改换器完成轻、小、薄和高功率密度。压电变压器使用压电陶瓷资料特有的 "电压-振荡"改换和"振荡- 电压"改换的性质传送能量，其等效电路好像一个串并联谐振电路，是功率改换范畴的研讨热门之一。

　　三是选用新式电容器。为了减小电力电子设备的体积和分量，有必要设法改善电容器的功能，进步能量密度，并研讨开发适合于电力电子及电源体系用的新式电容器，请求电容量大、等效串联电阻ESR小、体积小等。