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双极面结型晶体三极管的电流放大原理
作者:管理员    发布于:2017-01-14 08:44:53    文字:【】【】【
摘要:在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)极基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流Ie。

            双极面结型晶体管两个类型:NPN和PNP
NPN类型包含两个n型区域和一个分隔它们的p型区域;

PNP类型则包含两个p型区域和一个分隔它们的n型区域,图2和图3分别是它们的电路符号。

以下的说明将集中在NPN 三极管。
            图2: NPN 三极管的电路符号放大:

b极提供信号(输入)

c提供能量

e输出

常用在模电
      还有一个重要的特点:Ubc在线性电路中通常为0.7v 这个性质可以稳压 稳流等
饱和:利用它的开关特性 常用在数字电路
       晶体三极管按材料分有两种:锗管和硅管。

       每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的。

          下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
        对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
          在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)极基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流Ie。

脚注信息
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