用电压档检测

用数字万用表直流电压档检测电容器，实际上是一种间接测量法，此法可测量220pF～1μF的小容量电容器，并且能精确

测出电容器漏电流的大小  。

电容的种类

电容的种类可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚

乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等   。

无极性可变电容

制作工艺：可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜，定片为镀有金属膜的陶瓷底；动片为同轴金属片，定片为有机薄膜片

作介质

优点：容易生产，技术含量低。

缺点：体积大，容量小

用途：改变震荡及谐振频率电路。调频、调幅、发射/接收电路

无极性无感CBB电容

制作工艺：2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。

优点：无感，高频特性好，体积较小

缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。

用途：耦合/震荡，音响，模拟/数字电路，高频电源滤波/退耦

无极性CBB电容

制作工艺：2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。

优点：有感，高频特性好，体积较小

缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。

用途：耦合/震荡，模拟/数字电路，电源滤波/退耦

无极性瓷片电容

制作工艺：薄瓷片两面渡金属膜银而成。

优点：体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容）

缺点：易碎，容量低

用途：高频震荡、谐振、退耦、音响

无极性云母电容

制作工艺：云母片上镀两层金属薄膜

优点：容易生产，技术含量低。

缺点：体积大，容量小用途：震荡、谐振、退耦及要求不高的电路无极性独石电容体积比CBB更小，其他同CBB，有感

用途：模拟/数字电路信号旁路/滤波，音响

有极性电解电容

制作工艺：两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸在电解液中。

优点：容量大。

缺点：高频特性不好。

用途：低频级间耦合、旁路、退耦、电源滤波、音响

钽电容

制作工艺：用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。

优点：稳定性好，容量大，高频特性好。

缺点：造价高。

用途：高精度电源滤波、信号级间耦合、高频电路、音响电路

聚酯（涤纶）电容

符号：CL

电容量：40p--4u

额定电压：63--630V

主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差

应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路

聚苯乙烯电容

符号：CB

电容量：10p--1u

额定电压：100V--30KV

主要特点：稳定，低损耗，体积较大

应用：对稳定性和损耗要求较高的电路

聚丙烯电容

符号：CBB

电容量：1000p--10u

额定电压：63--2000V

主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差

应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路

云母电容

符号：CY

电容量：10p--0。1u

额定电压：100V--7kV

主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小

应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路

高频瓷介电容

符号：CC

电容量：1--6800p

额定电压：63--500V

主要特点：高频损耗小，稳定性好

应用：高频电路

低频瓷介电容

符号：CT

电容量：10p--4。7u

额定电压：50V--100V

主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差

应用：要求不高的低频电路

玻璃釉电容

符号：CI

电容量：10p--0。1u

额定电压：63--400V

主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）

应用：脉冲、耦合、旁路等电路

铝电解电容

符号：CD

电容量：0。47--10000u

额定电压：6。3--450V

主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大

应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等

钽电解电容（CA）、铌电解电容（CN）

电容量：0。1--1000u

额定电压：6。3--125V

主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容

应用：在要求高的电路中代替铝电解电容

空气介质可变电容器

可变电容量：100--1500p

主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式 等

应用：电子仪器，广播电视设备等

薄膜介质可变电容器

可变电容量：15--550p

主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大

应用：通讯，广播接收机等

薄膜介质微调电容器

符号： 可变电容量：1--29p

主要特点：损耗较大，体积小

应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿

陶瓷介质微调电容器

符号： 可变电容量：0。3--22p

主要特点：损耗较小，体积较小应用：精密调谐的高频振荡回路