直流电源的缓冲电路也称作吸收电路，在电力半E6C2-AN5B导体器材的使用技术中起着重要的效果。电力半导体器材注册时流过很大的电流，阻断时接受很高的电压；尤其在开关变换的刹那间，电路中各种储能元件的能量开释会致使器材饱尝很大的冲击，有能够超越器材的安全作业区而致使损坏。附加各种缓冲电路，意图不仅是降低浪涌电压、du/dt、d//dt，还希望能削减器材的开关损耗、防止器材二次击穿和按捺电磁搅扰，进步电路的可靠性。
    直流电源缓冲电路可分为两类：①耗能式缓冲电路，即转移至缓冲器的开关损耗能量耗费在电阻上，这种电路简略，但功率低；②馈能式缓冲电路，行将转移至缓冲器的开关损耗能量以恰当的办法再提供给负载或回馈给供电电源，这种电路功率高但电路相对杂乱。
    耗能式缓冲电路
    (1)关断缓冲电路。
    图7-19为典型的耗能式关断缓冲电路，它由电阻、电容和二极管网络组成与GTR开关并联衔接。当GTR关断时，负载电流经二极管VD给电容器Cs充电，依据电容两头电压不能骤变的原理，GTR集电极与发射极两头的电压上升率du/dt受到约束，电容越大，du/dt越小。因为GTR集电极电压被电容电压操控，所以不再会呈现集电极电压与集电极电流一起为最大值的状况，因此也不再会呈现最大的瞬时尖峰功耗。
   (2)注册缓冲电路。
    GTR注册时的关键因素是d//dt，稳态电流值越大，注册时刻越短，则d//dt影响越严峻，为了隈制d∥dt的巨细常选用串联电感的办法进行缓冲，典型的注册缓冲电路如图7-20所示。注册缓冲电路由电感厶和二极管VDs组成与GTR集电极相串联。在GTR注册过程中，在集电极电压降低时间，电感岛操控电流的上升率dz7dt;当GTR关断时储存在电感厶中的能量/s/2／2，经过二极管VD。的续流效果而耗费在VDs和电感自身的电阻上。

           
    (3)复合缓冲电路。
    在实践使用中，总是将关断缓冲电路与注册缓冲电路联系在一起的，一般称其为复合缓冲电路，如图7-21所示。在GTR注册时，缓冲电容经Cs Rs/s回路放电，削减了GTR接受的电流上升率d∥dt，电感岛还可约束续流二极管VD，的反向恢复电流。